سامسونگ تولید نخستین حافظه دی­رم نرخ­-داده­-دوبل ۲ (LPDDR2) کم مصرف ۴Gb که از فناوری ۳۰ نانومتری استفاده می­کند را اعلام نمود. طبق اعلام سامسونگ، این حافظه جدید LPDDR2 4Gb 30نانومتری جدید در مقایسه با دی­رم LPDDR2 2Gb کلاس-۴۰نانومتری قبلی تا ۶۰% بهره­وری بیشتری دارد.

علاوه بر صرفه­جویی ۲۵درصدی در مصرف برق، سرعت انتقال داده­ها در این دی­رم LPDDR2 4Gb 1066 مگابیت بر ثانیه می­باشد.